继卡位176层3D NAND技术制高点后，美光再次宣布DRAM技术突破

美光宣布批量出货1αnm（1-alpha）节点DRAM产品，新一代先进技术与之前的1Znm节点相比，存储密提高了40%，功耗和性能方面也都有明显的改善。

美光表示，已经在台湾地区的工厂批量生产1αnm工艺节点的DRAM，为8Gb和16Gb容量，首先是面向PC客户推出DDR4和消费类Crucial PC DRAM产品，同时面向移动市场推出的LPDDR4样品也已进入认证阶段，预计将在2021年也会推出基于该技术的其他新产品，比如LPDDR5。