美光DRAM制程不断突破极限

在第四代10纳米DRAM工艺制程的研发中，美光也率先实现了突破并开始量产1α DRAM产品。创新1α节点，作为美光的“秘密武器”，带来业界功耗最低的移动DRAM，突破制程极限同时实现成本优化，与上一代1z美光移动DRAM相比，它实现15%的节能，通过平衡成本和制程能力，极大地提升用户体验。

未来，美光希望在后续节点（如beta和gamma）中继续这一创新，同样把重点放在制程改进上，并借鉴之前节点的宝贵经验。美光DRAM制程团队也会参考借鉴NAND团队的制程经验——他们已推出了世界上第一款176层3D NAND，取得了业界领先的成就。

美光研究表明，目前DRAM仍然最适合低延迟易失性应用。MRAM，例如STTRAM，具有易于与逻辑半导体制程集成的优点，然而STTRAM的数据延迟和能耗稍高于DRAM，耐久性也差一些，并且在密度方面还存在设计实现难点。因此，业界是否会采用Logic+STTRAM还有待观察。RRAM确实是一种有趣的低延迟块存储技术，但目前还难以确定其面密度的经济性是否能带来广泛的市场部署。所以美光认为DRAM在未来十年仍会占据存储性能-容量金字塔的顶端。