三星公布第八代V-NAND细节，512GB仅0.8mm厚度

在近日召开的三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节。三星第八代V-NAND堆栈层数将超过200层，容量可达1Tbit，512GB容量的厚度为0.8mm，可用于智能手机。 即将推出的第八代V-NAND 层数有望提高到228层，存储密度也有望提高40%。此外，I/O接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps，性能更适配最新的PCIe 5.0标准。按照三星规划，该公司未来V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升，旨在达到500层甚至500层以上的水平。