三星决定跳过1b DRAM研发，直接进军1c DRAM

据韩媒报道，三星已通知半导体研究人员，决定跳过或放弃1b DRAM（第五代 10 nm级，12nm）开发。三星放弃1b DRAM 开发后，立即加速开发1c DRAM 产品，业内认为这是三星用来扩大与竞争对手SK 海力士和美光等竞争对手技术差距的重大策略。三星预计在今年6月前完成1c DRAM（第六代10nm级，11nm）开发目标，拉开与对手的差距。