瑞萨推出新型栅极驱动器IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

 据外媒报道，半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）宣布推出新型栅极驱动器IC，旨在驱动 电动汽车 （EV）逆变器中IGBT（绝缘栅双极晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。