IBM与三星共同开发VTFET芯片技术

近日IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计，可将晶体管以垂直方式堆栈，并让电流也垂直流通，使晶体管数量密度再次提高，更大幅提高电源使用效率，并突破1纳米制程的瓶颈。 相对IBM与三星技术成果发表，晶圆代工龙头台积电也在5月宣布，与中国台湾大学、麻省理工学院共同研究，以铋金属特性突破1纳米制程极限，下探至1纳米以下。