三星新一代3D NAND发展蓝图曝光

据韩媒最新报道，传三星近期制定新一代3D NAND发展蓝图，正积极投入产品研发。预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层，第十代3D NAND将跳过300层区间，达430层，预计将于2025~2026年推出。

三星2021年量产的第七代3D NAND堆叠至176层，采用双堆叠（double-stack）制程；2022年11月，三星宣布量产全球最高容量1Tb TLC 第八代3D NAND，虽未公开具体堆叠层数，但业界推测可能为238层。 三星第九代及第十代3D NAND目前仍处于实验室研发阶段，确切层数将根据三星实验结果及量产应用评估调整。三星目前并未将3D NAND层数视为事业重点，三星强调，比起层数的多寡，如何有效堆叠更为重要，尽可能降低堆叠高度、缩小产品尺寸才是产品竞争力的基础。